بدون شک ساخت ترانزیستورهای FinFET موفقیت بزرگی بود. درحالیکه بیش از یک دهه از زمان معرفی FinFET سپری شده است، اولین ترانزیستوری که در سال ۲۰۱۱ اینتل، سامسونگ، TSMC و سایر شرکتها در قالب لیتوگرافی ۲۲ نانومتری از آن استفاده ...
به خواندن ادامه دهیدترانزیستورهای دوقطبی (ترانزیستورهای پیوند دوقطبی بی جی تی BJT) : این قطعه نوعی ترانزیستور است که از الکترون ها و حفره ها به عنوان حامل بار استفاده می کند. دو نوع ترانزیستور دوقطبی تولید می شود ...
به خواندن ادامه دهیدترانزیستور. ترانزیستور اثر میدان یا فِت، دستهای از ترانزیستورها هستند که مبنای کار کنترل جریان، در آنها توسط یک میدان الکتریکی صورت میگیرد. با توجه به اینکه در این ترانزیستورها تنها یک نوع حامل بار (الکترون آزاد ...
به خواندن ادامه دهیددر ترانزیستورهای JFET) Junction Field Effect Transistors) در اثر میدان، با اعمال یک ولتاژ به پایه گیت میزان جریان عبوری از دو پایه سورس و درین کنترل میشود. ترانزیستور اثر میدانی بر دو قسم است: نوع n یا N-Type و نوع ...
به خواندن ادامه دهیدساختار ترانزیستورهای اثر میدان. ترانزیستورهای اثر میدان عنصری سه پایه هستند شامل GATE، Drain، Source که به صورت قطعه جداگانه موجود می باشند و مهمترین استفاده از آن ها در ساخت مدارهای مجتمع IC ها می باشد. ...
به خواندن ادامه دهیدبخشی از مقاله. ترانزیستور. ترانزیستورهای جدید به دو دسته کلی تقسیم می شوند: ترانزیستورهای اتصال دوقطبی (BJTs) و ترانزیستورهای اثر میدانی (FETs). اعمال جریان در BJTها و ولتاژ در FETها بیین ورودی ...
به خواندن ادامه دهیداز نظر تعداد کل ترانزیستورهای موجود، تخمینزده میشود که در کل ۱۳ سکستیلیون (۱٫۳ × ۱۰ ۲۲) ماسفت در سراسر جهان بین سالهای ۱۹۶۰ و ۲۰۱۸ تولید شده، بررسی برای حداقل ۹۹٫۹٪ از کل ترانزیستورها.
به خواندن ادامه دهیدبه ترانزیستورهای مثبت، پی ان پی گفته می شود pnp به ترانزیستورهای منفی ، ان پی ان گفته می شود npn نام گذاری پایه های ترانزیستورهای معمولی مثبت و منفی از حروف اوّل نام هرپایه گرفته شده است، پایه امیتر، پایه کلکتور ، پایه بیس .
به خواندن ادامه دهیددر آنها برای ساخت یک ولتاژ رگوله از رگولاتورهای خطی استفاده می کنند . به عنوان مثال برای تهیه ولتاژ 5 ولت ثابت از ولتاژ 12 ولت مستقیم از رگولاتور 7805 استفاده می کنند.
به خواندن ادامه دهیدThe potential degradation in bipolar SiC elements: Recombination induced increase of R DS(on) and V SD Bipolar degradation might affect all SiC MOSFET technologies Effect is defect-driven and related to defects of substrate material Statistical effect: devices without these defects will not have bipolar degradation effect
به خواندن ادامه دهیدسپس میتوانیم "ناحیه قطع" یا "حالت خاموش" را هنگام استفاده از ترانزیستور دو قطبی به عنوان سوئیچ تعریف کنیم، هر دو پیوند بایاس معکوس شدهاند، v b <0.7v و i c = 0. برای یک ترانزیستور pnp، پتانسیل امیتر باید با توجه به بیس منفی ...
به خواندن ادامه دهیددر ترانزیستورهای پیوند اثر میدانی (JFET)، با اعمال ولتاژ به پایه گِیت، میزان جریان میان دوپایه سورس و دِرِین کنترل میشود. ترانزیستور اثر میدانی به دو نوع تقسیم میشود: نوع n یا N-Type و نوع p یا P-Type.
به خواندن ادامه دهید1) آی سی آنالوگ. در این IC ها، اعمال موردنظر به صورت خطی روی سیگنال های ورودی انجام می شود و. برای پردازش سیگنال های آنالوگ در مدار مانند سینگال های صوتی و تصویری، از این نوع آی سی استفاده می شود ...
به خواندن ادامه دهیدبازدید: ۱۶۴۵. ترانزیستورهای اثر میدان پیوندی که به اختصار JFET (Junction Field Effect Transistor) نامیده میشوند، یک المان نیمهرسانای تک قطبی است که دارای سه پایه بوده و با ولتاژ کنترل میشود. این نوع ...
به خواندن ادامه دهیددر این آموزش با ترانزیستورهای اثر میدان پیوندی یا ترانزیستور jfet آشنا میشویم. در آموزش مربوط به ترانزیستور پیوندی دوقطبی دیدیم که جریان خروجی کلکتور، متناسب با جریان ورودی گذرنده از بیس است که سبب میشود ترانزیستور ...
به خواندن ادامه دهیدبرای تقویت و تعویض یک سیگنال الکتریکی استفاده می شوند. این قطعات از نیمه هادی هایی مثل سیلیسیوم و ژرمانیوم ساخته و جزء دسته بندی قطعات حالت جامد (Solid State) شناخته می شوند.
به خواندن ادامه دهیدموارد بیشتر برای شما ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربنی تصویر: نموداری که نشان می دهد یک نانولوله کربنی اساساً گرافنِ پیچیده شده است. ترانزیستور اثر میدان نانولوله کربنی (carbon nanotube field-effect transistor (CNTFET)) یک ترانزیستور اثر ...
به خواندن ادامه دهیدآی سی های شارژر باتری، مدارهای مجتمع (IC) هستند که برای شارژ باتری ها استفاده می شوند. انواع مختلفی از آی سی شارژر باتری وجود دارد. شارژرهای خطی از یک منبع کنترل شده با ولتاژ استفاده می کنند تا ...
به خواندن ادامه دهیدInfineon is the world's largest manufacturer of power semiconductor components, offering the most comprehensive portfolio of metal-oxide-silicon transistors. With the acquisition of International Rectifier (IRF) in 2015, Infineon has continued to strengthen and expand this portfolio to include all IRF MOSFET products, as well as power MOSFETS, placing us at …
به خواندن ادامه دهیدSiC technology from Infineon! As the leading power supplier with >20 years of heritage in silicon carbide (SiC) technology development we are prepared to cater to the need for smarter, more efficient energy …
به خواندن ادامه دهیددر ترانزیستورهای پیوند اثر میدانی (JFET)، با اعمال ولتاژ به پایه گِیت، میزان جریان میان دوپایه سورس و دِرِین کنترل میشود. ترانزیستور اثر میدانی به دو نوع تقسیم میشود: نوع n یا N-Type و نوع p یا P-Type.
به خواندن ادامه دهیددر ترانزیستورهای JFET(Junction Field Effect Transistors( در اثر میدان، با اعمال یک ولتاژ به پایه گیتجریان عبوری از دو پایه سورس و درین کنترل میشود. ترانزیستور اثر میدانی بر دو قسم است: نوع n یا N-Type و نوع p یا P-Type.
به خواندن ادامه دهیدJinshui District Overview. Jinshui District (Chinese: ; pinyin: Jīnshuǐ Qū) is one of 6 urban districts of the prefecture-level city of Zhengzhou, the capital of Henan Province, …
به خواندن ادامه دهیددانلود پاورپوینت ترانزیستورهای اثر میدانی با نانو لوله های کربنی با فرمت pptx ودر18 اسلاید قابل ویرایش. قسمتی از متن پاورپوینت ترانزیستورهای اثر میدانی با نانو لوله های کربنی. مقايسه ...
به خواندن ادامه دهیداساساً ترانزیستور npn اینگونه کار می کند. شاید بدانید که هنگام طراحی مدارهای الکترونیکی، از مقدار جریان معمولی استفاده می شود. از این رو، برای مدار ترانزیستور npn نیز فرض میکنیم که جریان از بخش مثبت باتری، به پین کلکتور ...
به خواندن ادامه دهیدمرحله 4: آزمایش ویفر. پس از تولید ویفر سیلیکون، باید از صحت کار آنها مطمئن شد. برای آزمایش درستی ویفرها آنها را در شرایط واقعی میآزمایند و برای مثال به آنها ولتاژهای الکتریکی زیادی ...
به خواندن ادامه دهیدپایه Source در یک ترانزیستور اثر میدان ، بخشی است که از طریق آن الکترون ها وارد می شوند. شبیه به پایه امیتر در ترانزیستور دوقطبی پیوندی می باشد.
به خواندن ادامه دهیدسامسونگ و ibm تخمین میزنند که ترانزیستورهای اثر میدان انتقال عمودی (vtfet) منجر به تولید پردازندههایی با سرعتی دو برابر تراشههای طراحی شده با ترانزیستورهای اثر میدان (finfet) میشوند و انرژی ...
به خواندن ادامه دهیدترانزیستور نوعی دستگاه نیمه هادی است که برای هدایت و عایق بندی جریان الکتریکی و ولتاژ استفاده می شود. ترانزیستور اساسا به عنوان کلید و تقویت کننده عمل می کند.
به خواندن ادامه دهیدانواع ترانزیستور. ترانزیستور اتصال دو قطبی (BJT) ترانزیستور اثر میدان (FET) ترانزیستور اثر میدان پیوندی (JFET) ترانزیستور اثر میدانی اکسید فلز (MOSFET) مغز ما که برای فکر کردن و به خاطر سپردن از 100 ...
به خواندن ادامه دهیدترانزیستورهای اثر میدان فلز-اکسید-نیمه هادی از ترانزیستورهای پیوندی دوقطبی کوچکتر و ساخت آن ساده تر بوده و توان کمتری مصرف می کند و در ساخت بسیاری از مدارات مجتمع کاربرد دارد.
به خواندن ادامه دهیدترانزیستور چیست؟ انواع ترانزیستور: ترانزیستور به عنوان یک قطعه نیمه هادی تعریف می شود که اساساً با سه پایانه برای تقویت یا سوئیچینگ سیگنال های الکترونیکی و اهداف برق ساخته شده است.به عنوان تقویت کننده، آن ها در سطوح ...
به خواندن ادامه دهیدInfineon's unique CoolSiC™ MOSFET adds additional advantages. Superior gate oxide reliability enabled by state-of-the-art trench design, best in class switching and …
به خواندن ادامه دهیدهنگام استفاده از ماسفت یا استفاده از هر ترانزیستور اثر میدان دیگری به عنوان سوییچ، بهتر است که اولویت با انتخاب ماسفت هایی با R DS پایین باشد در ضمن در برخی مواقع استفاده از هیت سینک (Heat Sink) برای ...
به خواندن ادامه دهیدترانزیستور ها دقیقا چه نوع وسیله ای هستند؟. ترانزیستورها وسایلی هستند که حرکت الکترون ها و در نتیجه الکتریسیته را کنترل می کنند. آنها چیزی شبیه یک شیر آب کار می کنند – نه تنها یک جریان را شروع ...
به خواندن ادامه دهید