- +8618437960706
- دوشنبه تا شنبه: 10:00 - 16:00 / یکشنبه تعطیل است
band gap silicon carbide (SiC) semiconductors has begun to improve the performance and reduce the loss. Thanks to the excellent physical properties of SiC, SiC devices reduce the loss in power conversion by 50–70% and can function at higher frequencies than the conventional types. Using SiC devices based on the
به خواندن ادامه دهید
محقق دانشگاه بینگامتون نیویورک نوعی باتری کشسان تولید کرده که قادر است به کمک باکتری‌های موجود در عرق بدن، انرژی لازم برای کاربری روزانه‌ی گجت‌های پوشیدنی را تامین نماید.
به خواندن ادامه دهید
News: Microelectronics 17 April 2023. Multi-year deal signed for ST to supply silicon carbide devices to ZF. STMicroelectronics of Geneva, Switzerland has signed a multi-year contract to supply a volume of double-digit millions of silicon carbide devices that will be integrated into the new modular inverter architecture of Germany-based ZF …
به خواندن ادامه دهید
The MSCSM120DUM11T3AG device is a 1200V/254A dual common source silicon carbide (SiC) MOSFET power module. All multiple inputs & outputs must be shorted together …
به خواندن ادامه دهید
Silicon Carbide is a compound semiconductor material with intrinsic properties providing superior performance and efficiency over silicon in key, high-growth power applications for electro ...
به خواندن ادامه دهید
STMicroelectronics 650 SiC (탄화규소) MOSFET. STMicroelectronics 650 SiC (Silicon-Carbide) MOSFET는 우수한 스위칭 성능과 함께 면적 당 매우 낮은 온 상태 저항 (R DS (on) )을 제공합니다. 이는 보다 효율적이고 콤팩트한 시스템으로 해석됩니다.실리콘 MOSFET에 비해, SiC MOSFET는 ...
به خواندن ادامه دهید
تعداد زیادی از قطعات الکترونیکی وجود دارند که برای ساخت مدارهای الکترونیکی از آن‌ها استفاده می‌شود. بدون این قطعات الکترونیکی مدارها هرگز کامل نیستند یا عملکرد خوبی ندارند. از این قطعات الکترونیکی می‌توان به مقاومت ...
به خواندن ادامه دهید
STMicroelectronics and Soitec cooperate on SiC substrate manufacturing technology. Agreement to qualify Soitec technology for future 200mm SiC substrate …
به خواندن ادامه دهید
Due to the wide bandgap and other key materials properties of 4H-SiC, SiC MOSFETs offer performance advantages over competing Si-based power devices. For example, SiC can more easily be used to fabricate MOSFETs with very high voltage ratings, and with lower switching losses. Silicon carbide power MOSFET development has progressed rapidly …
به خواندن ادامه دهید
Power MOSFET Applications. STの パワーMOSFET ポートフォリオは、-100V～1700Vというのブレークダウンをするだけでなく、のパッケージにいゲートとオンをねえています。. STのプロセスでは、MDmesh™パワーMOSFETと ...
به خواندن ادامه دهید
It is expected that the supply of the new ST Micro SiC products to Hyundai and Kia's new vehicles, including the EV6, will expand. ST Micro SiC semiconductor MOSFET-based power module products supply various operating voltages to the electric vehicle platform application and lowers the power consumption. The SiC power module …
به خواندن ادامه دهید
تصویر ماسفت mosfet. ماسفت یک قطعه الکترونیکی است که به عنوان یک سوئیچ کنترل شده الکتریکی عمل می کند.. ماسفت (MOSFET) مخفف (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) به معنای ترانزیستور اثر میدانی فلز-اکسید-نیمه هادی است.
به خواندن ادامه دهید
This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST's advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature. Download datasheet.
به خواندن ادامه دهید
performance from ST's 1200 V SiC MOSFET in your application. The first ST SiC MOSFET given is the 80 mΩ version (SCT30N120), the device is packaged in the proprietary HiP247™ package and features the industry's highest junction temperature rating of 200 °C. All the data reported in the present work refers to the SCT30N120.
به خواندن ادامه دهید
Create more efficient and compact systems than ever with STPOWER SiC MOSFETs Bring the advantages of innovative wide bandgap materials (WBG) to your next design thanks …
به خواندن ادامه دهید
Silicon carbide - The latest breakthrough in high-voltage switching and rectification. ST's portfolio of silicon carbide (SiC) devices incluses STPOWER SiC MOSFETs ranging from 650 to 2200 V with the industry's highest junction temperature rating of 200 °C for more efficient and simplified designs, and STPOWER SiC diodes ranging from 600 ...
به خواندن ادامه دهید
به گفته محققان این ژنراتور پوشیدنی جدید با هزینه پایین از نسیمی که حین یک راه رفتن ساده ایجاد می‌شود، برق مورد نیاز برای روشن کردن لامپ‌های LED کوچک و سنسورها را تأمین می‌کند.. این وسیله با اینکه از باد برق تولید می‌کند ...
به خواندن ادامه دهید
A leader in the automotive EV market, Hyundai Motor Company has chosen ST's ACEPACK DRIVE SiC-MOSFET Gen3 based power modules for its current-generation EV platform, called E-GMP. In particular ...
به خواندن ادامه دهید
Due to the wide bandgap and other key materials properties of 4H-SiC, SiC MOSFETs offer performance advantages over competing Si-based power devices. For example, SiC can …
به خواندن ادامه دهید
This webinar was broadcasted Thursday, 17th September 2020. How ST's 2nd-gen Silicon-Carbide MOSFETs take efficiency to a next level: 15 kW Power Factor Conversion reference design. Join ST's one-hour webinar and discover the key benefits of 2 nd generation STPOWER Silicon-Carbide MOSFETs specifically for a Power Factor …
به خواندن ادامه دهید
فرآیند تولید نحوه ساخت یا ایجاد یک محصول توسط یک شرکت است. این می تواند یک فعالیت پیچیده باشد که شامل طیف وسیعی از ماشین آلات، ابزارها و تجهیزات با سطوح مختلف اتوماسیون با استفاده از رایانه ها ...
به خواندن ادامه دهید
SiC: Silicon carbide. for a more sustainable future. STMicroelectronics introduced its first SiC diodes in 2004, after several years of research and development on silicon carbide …
به خواندن ادامه دهید
TOSHIBA Power MOSFET builds broad support for whole power supply applications with best-in-class technologies. Isolated DC-DC AC-DC Front End Non-Isolated DC-DC (POL) AC Input 5~12V DC Non-Isolated DC-DC (VRM) 1.xV 1.8V 48V/24V DC Bus Isolated DC-DC CPU Memory PFC Booster HVMOS DTMOSⅣ/ DTMOSⅥ V DSS =600/650V PFC …
به خواندن ادامه دهید
•STPOWER SiC MOSFET solutions from ST operate at higher switching frequency and at higher temperature enabling • minimized magnetic losses • a smaller, lighter cooling system • the highest power levels e.g 400V HV DC/DC Converter e.g 800V. SiC technology for on-board charger To speed-up systems charging time
به خواندن ادامه دهید
بر اساس گزارش بلومبرگ، هواوی برای ایجاد شبکه خود، امکانات ساخت قطعات را از JHICC و Qingdao Si'en خریداری کرد و به ساخت کارخانه هایی هایی که متعلق به شرکت تولیدی IC Pengxinwei (PXW) و Shenzhen Pensun Technology Co (PST) کمک می کند.
به خواندن ادامه دهید
ST SiC MOSFETs allow the design of more efficient and compact systems. ST's 1200V SiC MOSFETs exhibit an outstanding temperature rating of 200°C for improved thermal design of power electronics systems. Compared to silicon MOSFET, SiC MOSFET also feature significantly reduced switching losses with minimal variation versus the …
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانای اکسید فلز یا ماسفت (MOSFET)، مقاومت گیت ورودی بسیار بزرگی دارد و جریان گذرنده از کانال بین سورس و درین با ولتاژ گیت کنترل می‌شود. به دلیل امپدانس ورودی و بهره ...
به خواندن ادامه دهید
Show only products supplied by ST. on off. SCTW100N120G2AG. Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 A, 30 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an HiP247 package ... Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 20 A, 189 mOhm (typ., Tj = 150 C) in an HiP247 long leads package. SCTW70N120G2V.
به خواندن ادامه دهید
Featured Products. Higher power density with the Gen2 1200 V STPOWER SiC MOSFET in a tiny H2PAK-7 SMD package. Combining outstanding performance with package compactness, the new SCTH60N120G2-7 …
به خواندن ادامه دهید
Tel: +41 22 929 58 12. [email protected]. About Soitec. Soitec (Euronext, Tech 40 Paris) is a world leader in designing and manufacturing innovative semiconductor materials. The company uses its unique technologies to serve the electronics markets. With more than 3,700 patents worldwide, Soitec's strategy is based on …
به خواندن ادامه دهید
ST. . SCTW100N120G2AG. Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 A, 30 mOhm (typ. TJ = 25 C) in an HiP247 package. SCT20N120H. MOSFET,1200 V、20 A、189 mOhm（,Tj = 150 C）,HiP247 ...
به خواندن ادامه دهید
In this article, a discussion is given about testing and related results of Silicon-carbide power MOSFETs for automotive applications. It reports mainly about trends, testing for wear of components, and testing …
به خواندن ادامه دهید
The company is claiming high quality with minimal crystal-dislocation defects through expertise in SiC ingot growth technology developed by STMicroelectronics Silicon Carbide (formerly Norstel, acquired in 2019). Teaming up with supply chain partners, it is also developing other manufacturing equipment and processes for 200mm SiC production.
به خواندن ادامه دهید
Este documento apresenta as características e aplicações dos produtos de SiC MOSFET e diodo da STMicroelectronics, líder mundial em soluções de potência baseadas em …
به خواندن ادامه دهید