- +8618437960706
- دوشنبه تا شنبه: 10:00 - 16:00 / یکشنبه تعطیل است
یک TFT اکسیدی از یک ترانزیستور اثر میدان اکسید فلزی (MOSFET) متمایز است که در آن کلمه "اکسید" به دی الکتریک دروازه عایق (معمولا دی اکسید سیلیکون) اشاره دارد. در TFT اکسید، کلمه اکسید به نیمه هادی اشاره ...
به خواندن ادامه دهید
نیمه هادی ها می‌توانند ترکیباتی مانند گالیم آرسنید یا عناصر خالص مانند ژرمانیوم یا سیلیکون باشند. ... مرکب نیز برای تولید دیودهای نوری، ساطع‌کننده نور و دیودهای لیزر استفاده می‌شود ...
به خواندن ادامه دهید
This parasitic turn-on effect can affect SiC JFETs and SiC MOSFETs likewise, as is shown in [3] and [6]. In the concept of an integrated power module with SiC MOSFETs, as shown in [7,8], the idea ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور چیست؟ انواع ترانزیستور: ترانزیستور به عنوان یک قطعه نیمه هادی تعریف می شود که اساساً با سه پایانه برای تقویت یا سوئیچینگ سیگنال های الکترونیکی و اهداف برق ساخته شده است.به عنوان تقویت کننده، آن ها در سطوح ...
به خواندن ادامه دهید
ماسفت نسبت به igbt از تکنولوژی قدیمی تری برخوردار است اما همچنان از آن به عنوان سوئیچینگ و تقویت کنندگی استفاده می شود.
به خواندن ادامه دهید
به تکنولوژی‌هایی که از دو نوع ترانزیستورهای دوقطبی و Mosfet در آن واحد استفاده می‌کنند Bicmos می‌گویند. البته نقطه کار این ترانزیستورها نسبت به دما حساس است وتغییر می‌کند.
به خواندن ادامه دهید
امروزه نیمه هادی ها به یک سطح بالایی از پیچیدگی ها و تکامل در رابطه با کاربرد آنها در منابع تغذیه سوئیچینگ رسیده اند. با وجود این همه تکامل در نیمه هادی ها، آن ها آسیب پذیرترین قطعات در یک منبع ...
به خواندن ادامه دهید
ماسفت مد تخلیه یا کاهشی که نسبت به انواع مد افزایشی کمتر مورد استفاده قرار می‌گیرد، بدون اعمال ولتاژ بایاس گیت، «در حالت عادی بسته» (Normally ON) است (هدایت می‌کند). در یک ترانزیستور MOS کانال …
به خواندن ادامه دهید
به تکنولوژی‌هایی که از دو نوع ترانزیستورهای دوقطبی و Mosfet در آن واحد استفاده می‌کنند Bicmos می‌گویند. البته نقطه کار این ترانزیستورها نسبت به دما حساس است وتغییر می‌کند.
به خواندن ادامه دهید
اصل کار ماسفت. اصلی ترین کار ماسفت این است که بتواند جریان ولتاژ و جریان بین پایانه‌های منبع و تخلیه را کنترل کند. تقریباً مانند یک سوئیچ کار می‌کند و عملکرد دستگاه بر اساس خازن MOS است. خازن MOS ...
به خواندن ادامه دهید
This paper compares a 20 kW Si IGBT inverter with a 20 kW SiC MOSFET inverter. The power semiconductor components are operated identically in a modular half …
به خواندن ادامه دهید
MOSFET و IGBT از انواع ترانزیستور ها هستند که وظیفه و کاربرد اصلی آنها سوئیچ کردن جریان و ولتاژ است. ماسفت نسبت به IGBT از تکنولوژی قدیمی تری برخوردار است اما همچنان از آن به عنوان سوئیچینگ و تقویت ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستورهای اثر میدان، خود به دو دستهٔ ترانزیستور پیوند اثر میدانی (JFET) و ترانزیستور اثر میدان نیمه‌هادیِ اکسید-فلز (Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, MOSFET) که به اختصار به آن ماسفت گفته می‌شود ...
به خواندن ادامه دهید
This article explores how breakthroughs in silicon carbide MOSFETs (SiC MOSFET) are redefining the capabilities of electric motors that have historically utilized …
به خواندن ادامه دهید
نمودار I-V خصوصیات و طرح‌های خروجی از JFETنوع n. ترانزیستور پیوندی اثر میدان یا جِی‌فِت (به انگلیسی: junction gate field-effect transistor یا JUGFET یا JFET) به گونه‌ای از ترانزیستورهای اثر میدان گفته می‌شود که از یک ...
به خواندن ادامه دهید
IGBT که اختصار (I nsulated G ate B ipolar T ransistor) است؛ یک ترانزیستور سوییچینگ قدرت است که مزایای MOSFET و BJT را برای استفاده در مدارهای منبع تغذیه و کنترل موتور ترکیب می‌کند.
به خواندن ادامه دهید
ماسفت به کمک یک لایه نازک سیلیکونی عایق می شود و می تواند به دو روش تقویت و تخلیه کار کند. IGBT در اصل یک نوع ماسفت به شمار می رود که قدرت اتصال دو قطبی را با هر دو ترانزیستور یکپارچه، در یک قطعه ...
به خواندن ادامه دهید
ماسفت در مقابل igbt: تفاوت چیست و کدام ترانزیستور بهتر است؟ ماسفت در مقابل igbt:وقتی صحبت از برنامه های smps می شود، هر دو ترانزیستور مزایای خود را دارند، اما کدام یک برای شما مناسب است؟. امروزه انواع مختلفی از …
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستورها از نیمه‌هادی‌های ساخته شده‌اند و براساس ویژگی‌های آنها کار می‌کنند. نیمه‌هادی ماده‌ای است که هادی خالص (مانند سیم مسی) نیست، از طرفی عایق (مانند هوا) هم نیست.
به خواندن ادامه دهید
The short-circuit capability of the SiC MOSFET is much weaker than that of the Si IGBT. Fig. 1 compares the measured SC waveforms of the same current rating SiC MOSFET and Si IGBT. The T SC of 1200 V/40 A SiC MOSFET (C2M0040120D) is only 8 μs under V ds = 600 V and T c = 25°C, while the T SC of Si IGBT (IKW40T120) is ∼38 …
به خواندن ادامه دهید
بر پایه‌ی این قانون، تعداد ترانزیستورهای نیمه‌هادی در یک مدار در هر دو سال، دو برابر می شود. فناوری نسل کنونی از فناوری مقیاس ۱۴ نانومتری، با نیمه‌هادی‌های ۱۰ نانومتری استفاده می‌کند.
به خواندن ادامه دهید
در ادامه مجموعه مقالات جامع مجله فرادرس، مقالات آشنایی با قطعات الکترونیک قدرت را ارائه می‌کنیم. دیود پیوند PN ، یکی از ساده‌ترین انواع نیمه‌هادی‌ها به شمار می‌رود که به معرفی آن پرداخته ...
به خواندن ادامه دهید
ماسفت. ماسفت شامل پایانه‌های گیت (G)، درین (D)، سورس (S) و بدنه (B). بدنه (B) اغلب به سورس وصل می‌شود؛ بنابراین ماسفت در عمل، سه‌پایه دارد. لایهٔ اکسیدِ سیلیسیوم به رنگ روشن در زیر گیت دیده می‌شود ...
به خواندن ادامه دهید
سیلیکون روی عایق. فناوری سیلیکون روی عایق (SOI) به استفاده از یک لایه سیلیکون-عایق بر روی سیلیکون به جای استفاده از لایه سیلیکون معمولی در تولید نیمه هادی‌ها، علی‌الخصوص در میکرو الکترونیک ...
به خواندن ادامه دهید
part. Furthermore, SiC MOSFETs have the benefit of being unipolar devices, and thus enable faster switching than a Si IGBT, and better controllability of switching behavior. This makes the SiC MOSFET a very attractive device. Infineon developed a truly ònormally-off ó SiC MOSFET using trench technology with the trade mark name CoolSiC™ MOSFET.
به خواندن ادامه دهید
سرفصل‌های دوره آموزش رایگان الکترونیک دیجیتال. فصل اول: مقدمات و مفاهیم اولیه. 01:04 ساعت (01:04 ساعت محتوا) 1 جلسه. جلسه 1: مقدمات و مفاهیم اولیه. "64:02. فصل دوم: مواد نیمه هادی و دیودها. 03:05 ساعت (03:05 ...
به خواندن ادامه دهید
Different Types of Field Effect, Bipolar Junction, Depletion, Enhancement, Insulated Gate Bipolar and Special TransistorsTransistor is the most used component in modern electronics and logic circuits due to their two main functions i.e. switching and amplification. They are used in both analog and digital circuits, low and high power and frequency applications.
به خواندن ادامه دهید
This document explains the comparison of Toshiba SiC MOSFET TW070J120B and Si IGBT, by switching loss, conduction loss, diode loss, and total power loss simulation. …
به خواندن ادامه دهید
برای ساخت دیودها از مواد نیمه‌رسانا مانند سیلیکون و ژرمانیوم استفاده می‌شود. دیودهای قدرت معمولاً از سیلیکون ساخته می‌شوند تا دستگاه در جریان‌های بالاتر و دمای پیوند بالاتر کار کند.
به خواندن ادامه دهید
در نتیجه igbt را می‌توانیم به عنوان یک bjt قدرت در نظر بگیریم که جریان بیس آن با یک ماسفت تغذیه می‌شود. ترانزیستور igbt را می‌توان مانند bjt یا mosfet در مدارهای تقویت کننده سیگنال کوچک به کار برد. اما ...
به خواندن ادامه دهید
«ترانزیستور دو قطبی با گِیت عایق شده» (Insulated Gate Bipolar Transistor) یا به اختصار IGBT ، قطعه‌ای نیمه‌رسانا است که عملکردی بین ترانزیستور پیوندی دو قطبی (BJT) و ترانزیستور اثر میدان (MOSFET) …
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستورهای بیپولار و ترانزیستورهای فلز-نیمه‌هادی شامل سه لایه نیمه‌رسانای نوع n و p هستند، در حالی که ترانزیستورهای فلز-اکسید-نیمه‌هادی (mosfet) دارای لایه اکسیدی هستند که بین دروازه و ...
به خواندن ادامه دهید
قطعا این را هم می دانید که igbt ترکیبی از دو نوع ترانزیستور دیگر mosfet و bjt است که در واقع یک دستگاه نیمه هادی سه ترمینال با توانایی انتقال دو قطبی در جریان های بالا است.
به خواندن ادامه دهید
IGBT & SiC Gate Driver Fundamentals 6 3Q 2019 I Texas Instruments IGBT and SiC power switch fundamentals What are the differences between Si MOSFET, Si IGBT and SiC MOSFET power switches? Si MOSFETs, Si IGBTs and SiC MOSFETs are all used in power applications but vary with regards to their power levels, drive methods and operating …
به خواندن ادامه دهید