نفوذپذیری (Permeability) — روابط و کاربردها – فرادرس

مواد مغناطیسی | دانلود مقالات ISI مواد مغناطیسی | 1626 مقاله انگلیسی

مواد مغناطیسی آن دسته از موادی هستند که وقتی در معرض یک میدان مغناطیسی قرار می گیرند از خود واکنش نشان داده و به اصطلاح خاصیت مغناطیسی پیدا می کنند. یک ماده می‌تواند چندین فاز (حالت) مغناطیسی ...

همزن مغناطیسی چیست ؟ قیمت خرید و فروش و انواع و کاربرد آن

از انواع همزن مغناطیسی با پوشش شیشه ای اغلب برای محلول های شامل فلزات قلیایی استفاده می شود. انواع مگنت ها دارای طول های مختلف بوده و معمولاً از چند میلیمتر تا چند سانتیمتر طول دارند.

کاربردهای ویژه‌ی الکترومغناطیس برخی از ساختارها و مواد کامپوزیتی (8)

نفوذپذیری مؤثر ایجاد شده بوسیله‌ی رزونانس در گستره‌ی فرکانس میکروویو، در بسیاری از متامتریال های تولید شده از مواد غیر مغناطیسی مانند الگوهای اندکتیو، مشاهده می شوند. برای مثال، پاسخ های مغناطیسی مؤثر می تواند با

رنگ ضد امواج الکترومغناطیس پارس شیلد

بار ناشی از میدان های مغناطیسی با استفاده از سیستم ارت ساختمان تخلیه می شود. زمان خشک شدن کامل پوشش محافظ بین 12 تا 24 ساعت، با توجه به دما و رطوبت محیط متغییر است.

کاربردهای ویژه ی الکترومغناطیس برخی از ساختارها و مواد کامپوزیتی (7)

این مسئله از معادله ی بالا مشاهده می شود که اگر محور X در شکل 6 با طول موج در فضای آزاد، تغییر کند، ناحیه ی محصور شده بوسیله ی محور X و نمودار انعکاس، با یک ثابت، محدود می شود که با نفوذپذیری ...

ترانسفورماتور

ترانسفورماتورها مورد استفاده در کاربردهای قدرت یا بسامد بالا (رادیویی) معمولاً از هسته با جنس فولاد سیلیکاتی با قابلیت نفوذپذیری مغناطیسی بالا استفاده می‌کنند [نیازمند منبع]. قابلیت ...

دیامغناطیس

نفوذپذیری مغناطیسی آن‌ها کمتر از می‌باشد (نفوذپذیری خلأ)؛ در نتیجه دیامغناطیس‌ها شکلی از مغناطیس هستند که تنها با یک ماده در حضور یک میدان مغناطیس خارجی به کار گرفته شده ایجاد می‌شوند.

دانلود رایگان مقاله اثر میدان مغناطیسی بر روی مقاومت فشاری بتن ریزدانه

نشان داده شده است که اگر آب در معرض میدان مغناطیسی با چگالی 0.985 T برای 24 ساعت قرار بگیرد، مقاومت فشاری می تواند به مقدار 55 درصد افزایش یافته، علاوه بر این کارایی نیز اندکی افزایش خواهد یافت [37 ...

بهترین پرده توری مغناطیسی در ایران

عموما پرده توری مگنت‌دار به طور آماده و در ابعاد متنوع به عرض 80 و 90 سانتی متر در ارتفاع 230 سانتی‌متر برای درب‌هایی با ابعاد معمول و همچنین در ابعاد و اندازه‌های بزرگ‌تر با عرض 240،220،200،180،160 ...

فروسیلیس، فروسیلیکومنیزیم و میکروسیلیکا

تولید فروسیلیس با استفاده از روش های نوین و پیشرفته و با دستگاه های مربوط به کنترل کیفی پیشرفته محصول ، سبب ارائه یک محصول مناسب و باکیفیت و کاربردی خواهد شد.

میدان مغناطیسی — به زبان ساده – فرادرس

به‌منظور تعریف میدان مغناطیسی در یک نقطه، مطابق با شکل زیر بار q را تصور کنید که با سرعت $$overrightarrow{v}$$ در میدان مغناطیسی برابر با $$overrightarrow {B}$$ در حال حرکت کرد.

پتانسیل مغناطیسی — به زبان ساده – فرادرس

طبق قضیه هلمهولتز با دانستن دیورژانس و کرل یک بردار، می‌توان آن را به طور کامل تعیین کرد. $$mu_0$$ در این روابط، نفوذپذیری مغناطیسی فضای آزاد است و به صورت زیر تعریف می‌شود:

مغناطیس کنندگی – مجموعه مقالات و آموزش ها – فرادرس

نفوذپذیری مغناطیسی یکی از خواص الکتریکی ماده است. بر اساس این خاصیت، مواد به دسته‌های پارامغناطیس، دیامغناطیس، فرومغناطیس و فری‌مغناطیس تقسیم می‌شوند. ۲۵ اسفند ۱۳۹۷. . محمد درویش متولی ...

میدان مغناطیسی — به زبان ساده – فرادرس

میدان مغناطیسی نیز همانند نسخه الکتریکی خود یک بردار است که آن را با → B B → نشان می‌دهند. مطابق با شکل زیر می‌توان با حرکت دادن قطب‌نما در نزدیکی یک آهنربا، جهت میدان مغناطیسی را معلوم کرد ...

اصول اولیه ترانسفورماتورها

هر دو سیم‌پیچ اولیه و ثانویه بر روی یک هسته که دارای خاصیت نفوذپذیری مغناطیسی بالایی است (مانند آهن) پیچیده شده‌اند. ... با استفاده از برخی انواع هسته‌های با لایه‌های بسیار نازک امکان ساخت ...

الکترومغناطیس چیست | مهار فن ابزار

متر = ب / اچ خاص مورد استفاده است نفوذپذیری مغناطیسی ماده هسته در میدان b . متر 0 = 4 پی ( 10 – 7 ) ن ⋅ آ – 2 نفوذپذیری فضای آزاد (یا هوا) است. توجه داشته باشید که آ در این تعریف آمپر است .

نانو ذرات مغناطیسی در دارو رسانی هدفمند (1)

نانوذرات مغناطیسی بواسطه گرادیان میدان مغناطیسی خارجی که همراه با نفوذپذیری ذاتی میدان مغناطیسی در داخل بافت های انسانی است قابل دستکاری و کنترل می باشند.

آموزش الکترونیک

با قرار دادن یک تیغه لغزان به جای سر وسط ترانس، می‌توان نسبت سیم‌پیچ‌های اولیه و ثانویه را تا حدودی تغییر داد و به این ترتیب ولتاژ پایانه خروجی ترانسفورماتور را تغییر داد مزیت استفاده از ...

میدان مغناطیسی

نیرو یک آهنربا با مغناطیسی‌شدگی m، در اثر میدان مغناطیسی B برابر است با: = (), که در آن∇ گرادیان است. در هر واحد از فاصله و جهت است که افزایش حداکثر m.B را محصول است (نقطه معادله زیر را ایجاد می‌کند.

کنترل سلول‌های منتخب مغز با میکروذرات مغناطیسی

محققان می‌گویند برای اولین بار توانسته‌اند با استفاده از ذرات بسیار ریز مغناطیسی سلول‌های منتخب مغز را کنترل کنند تا برای درمان برخی ناهنجاری‌ها اقدام شود.

عنصر سیلیکون و کاربردهای آن — از صفر تا صد – فرادرس

عنصر سیلیکون و کاربردهای آن — از صفر تا صد. سیلیکون یا سیلیسیم، عنصری شیمیایی با نماد Si در جدول تناوبی و عدد اتمی ۱۴ است که به عنوان نیمه‌هادی نیز کاربرد دارد. این عنصر در دسته شبه فلزات قرار ...

مدارهای مغناطیسی — به زبان ساده – فرادرس

با استفاده از قانون ولتاژ کیرشهف، داریم: همه عبارات معادله بالا معلوم هستند، جز نیروی مغناطیس‌کنندگی که برای هر بخش از مدار مغناطیسی، می‌توان آن را با داشتن چگالی شار b از منحنی b-h به‌دست آورد.

آهنربای الکتریکی چیست و چه کاربردی دارد؟ | جهان شیمی فیزیک

این آهنربا از یک سیم پیچ تشکیل شده که جریان عبوری از آن یک میدان مغناطیسی ایجاد می کند که در حفره داخلی ایجاد شده و به سمت مرکز سیم پیچ است. با خاموش شدن جریان ، میدان مغناطیسی از بین می رود.

سنتز و بررسی نانوذرات مغناطیسی مگنتیت (Fe3O4) به منظور ارائه بهترین روش

استفاده از نانوذرات منجر به بهینه‌سازی آن شده است و ویژگی‌هایی مانند هدف درمانی‌، بهبود نفوذپذیری سلولی‌، عمر طولانی‌تر زندگی و غیره که قبلاً در زمینه داروهای معمولی در دسترس نبودند را ...

نفوذ پذیری مغناطیسی – مجموعه مقالات و آموزش ها – فرادرس

نفوذپذیری مغناطیسی یکی از خواص الکتریکی ماده است. بر اساس این خاصیت، مواد به دسته‌های پارامغناطیس، دیامغناطیس، فرومغناطیس و فری‌مغناطیس تقسیم می‌شوند.

کار با ضخامت سنج التراسونیک | تجهیزات آزمایشکاهی بکر

اندازه گیری ضخامت فلز با استفاده از ضخامت سنج فلزی با استفاده از دو روش القای مغناطیسی و جریان گردابی انجام می شود که هر کدام دارای مزایایی هستند و در موارد مختلف مورد استفاده قرار می گیرند.

اثرات فیزیولوژیکی رقیق‌کننده انجماد مغناطیسی شده بر پارامترهای سلولی

هدف: این مطالعه به‌منظور بررسی اعمال شدت­های مختلف میدان مغناطیسی بر محیط انجمادی اسپرم انجام شد.مواد و روش­ها: در این آزمایش از القای میدان مغناطیسی با شدت­های 0، 2000، 4000 و 6000 گوس، به‌منظور تعیین شدت بهینه در طی فرآیند ...

(PDF) معرفی روش تصویربرداری رزونانس مغناطیسی عملکردی (FMRI) و کاربرد آن

معرفی روش تصویربرداری رزونانس مغناطیسی عملکردی (fmri) و کاربرد آن در علوم شناختی (PDF) معرفی روش تصویربرداری رزونانس مغناطیسی عملکردی (FMRI) و کاربرد آن در علوم شناختی | Aso Shojaie - Academia.edu

کاربردهای ویژه ی الکترومغناطیس برخی از ساختارها و مواد کامپوزیتی (7)

همانگونه که در شکل 5 بخش قبل مشاهده می شود، جاذب های متامتریال از آرایه های دوره ای با رسانایی بالا تشکیل شده اند که این آرایه ها بر روی زیرلایه های بسیار نازک، تشکیل می شوند.

فراماده فوتونی

ضریب شکست با علامت منفی نتیجه گذردهی الکتریکی، ε<۰ (کمتر از صفر) و نفوذپذیری مغناطیسی، μ <۰ (کمتر از صفر) است. [۴] [۹] تجزیه و تحلیل وسلاگو در بیش از ۱۵۰۰ مقاله بررسی شده و در بسیاری از کتاب‌ها از ...

مغناطش – مجموعه مقالات و آموزش ها – فرادرس

نفوذپذیری مغناطیسی — به زبان ساده. نفوذپذیری مغناطیسی یکی از خواص الکتریکی ماده است. بر اساس این خاصیت، مواد به دسته‌های پارامغناطیس، دیامغناطیس، فرومغناطیس و فری‌مغناطیس تقسیم می‌شوند. .

فروسیلیکون چیست؟ | اپلیکیشن زینگ | باربری آنلاین

فروسیلیکون آلیاژی است با عنوان آلیاژ اتمیزه که ترکیبات موجود در آن آهن و سیلیکون است. محتوای سیلیکونی که در فروسیلیکون موجود است، مقداری برابر با 15 تا 90 درصد است. فروسیلیکون در تولید کربن و همین طور برای تولید فولادهای ...

عملکرد میدان مغناطیسی

عرض سلام و احترام جناب مهندس من در خصوص سیم پیچ ها کنجکاو شدم تا در خصوص عملکرد میدان مغناطیسی در اونها بیشتر متوجه بشم و از این طریق به درک درستی از سلف های مختلف برسم. در همین راستا یک شبیه سازی عددی در نرم افزار المان ...

نفوذ پذیری مغناطیسی

L طول هسته. µ0 نفوذ پذیری مطلق هوا یا خلاء. µr برابر با نفوذ پذیری نسبی محیط‌است. نمودار زیر، منحنی ضریب نفوذ مغناطیسی را نمایش‌می‌دهد. این پارامتر برای طراحی مدار مغناطیسی استفاده‌می‌شود ...

مغنامقاومت غولپیکر

جهت مغناطیس‌سازی می‌تواند کنترل شود، به عنوان مثال، با استفاده از یک میدان مغناطیسی خارجی این کار ممکن است. این اثر مبتنی بر وابستگی پراکندگی الکترون به جهت‌گیری اسپین است.