igfet که با نام mosfet یا ترانزیستور اثر میدانی نیمه رسانای اکسید-فلز یا به اختصار ترانزیستور ماسفت نیز شناخته می شود، نوع دیگری از ترانزیستور اثر میدانی (fet) است که ورودی یا گیت آنها از نظر الکتریکی نسبت به کانالی که جریان را ...
به خواندن ادامه دهیدترانزیستور یک قطعه سه پایه است که ساختار فیزیکی آن بر اساس عملکرد نیمه هادی ها می باشد.ترانزیستور را از دو نوع نیمه هادی با نام سلسیوم و ژرمانیوم می سازند.عموما در یک تقسیم بندی ترانزیستور ها ...
به خواندن ادامه دهیدترانزیستور چیست؟ ترانزیستورها قطعات اکتیو سهسری هستند که از مواد نیمههادی مختلف ساخته شدهاند و میتوانند در کاربردهای ولتاژ سیگنال کوچک به عنوان یک عایق یا یک رسانا عمل کنند. توانایی ترانزیستور در تغییر بین این ...
به خواندن ادامه دهیددرس هفتم: ترانزیستورهای اثر میدان (fet) ساختمان و نماد ترانزیستورهای اثر میدان. بایاس ترانزیستورهای اثر میدان. کاربرد های ترانزیستورهای اثر میدان. آرایش های تقویت کنندگی ترانزیستورهای اثر میدان
به خواندن ادامه دهیدترانزیستور دارای سه لایهاست که ساختار آن شامل یکی از حالت های زیراست: 1) یک لایه نیمه هادی نوعn بین دو لایه نوعp در پیکربندی مثبت – منفی – مثبت (PNP)،. 2) یک لایه نوعp بین دو لایه نوعn در ...
به خواندن ادامه دهیدترانزیستور ها دقیقا چه نوع وسیله ای هستند؟. ترانزیستورها وسایلی هستند که حرکت الکترون ها و در نتیجه الکتریسیته را کنترل می کنند. آنها چیزی شبیه یک شیر آب کار می کنند – نه تنها یک جریان را شروع ...
به خواندن ادامه دهیدتهیه فیلم های نیمه هادی آلی زیرکانه برای کاربرد های فتوولتائیک ... دییمید های پروتئین دی اکسیدان شده در ترانزیستورهای میدان اثر آلی: اثر زنجیره جانبی آلکال و گرم شدن آن بر عملکرد دستگاه ...
به خواندن ادامه دهیدبدون شک ساخت ترانزیستورهای FinFET موفقیت بزرگی بود. درحالیکه بیش از یک دهه از زمان معرفی FinFET سپری شده است، اولین ترانزیستوری که در سال ۲۰۱۱ اینتل، سامسونگ، TSMC و سایر شرکتها در قالب لیتوگرافی ۲۲ نانومتری از آن استفاده ...
به خواندن ادامه دهیدترانزیستور مافست از نوع ترانزیستورهای اثر میدانی است و اثر میدانی نیمه رسانا دارد. از ماسفت در حافظه ها، ریزپردازنده ها و گیت های cmos منطقی و دیگر موارد استفاده می شود.
به خواندن ادامه دهیدترانزیستور اثر میدان فلز- نیمه هادی با ناحیه بدون ناخالصی در طرف درین برای اصلاح چگالی حامل ها و کاربردهای توان بالا. در این مقاله یک ترانزیستور جدید اثر میدان فلز-نیمه هادی با گیت تو رفته ...
به خواندن ادامه دهیددر ابتدا، آنها بر روی ایده ای کار می کردند که از یک اثر میدانی برای کنترل جریان در یک نیمه هادی استفاده می کرد، اما از آنجا که نتوانستند ایدهشان را عملی کنند، تمرکز خود را بر روی ایده دیگری معطوف کردند.
به خواندن ادامه دهیدمزایای ترانزیستور. معایب ترانزیستورها. انواع ترانزیستور. ترانزیستورهای پیوندی یا اتصالی (BJT) ترانزیستور NPN. ترانزیستور PNP. ترانزیستور اثر میدانی (FET) ترانزیستور اثر میدان پیوندی JFET. Channel N-JFET.
به خواندن ادامه دهیدترانزیستورهای اثر میدان به ترانزیستورهای اثر میدان اتصال (jfet) و ترانزیستورهای اثر میدان دروازه عایق بندی شده (ig-fet) یا ترانزیستورهای اثر میدان نیمه هادی اکسید فلز (mosfet) طبقه بندی می شوند.
به خواندن ادامه دهیدبر پایهی این قانون، تعداد ترانزیستورهای نیمههادی در یک مدار در هر دو سال، دو برابر می شود. فناوری نسل کنونی از فناوری مقیاس ۱۴ نانومتری، با نیمههادیهای ۱۰ نانومتری استفاده میکند.
به خواندن ادامه دهیدآمریکا و چین، بودجه هنگفتی را در صنعت تراشههای نیمههادی سرمایهگذاری کردهاند. غزل ویسی. پنج شنبه ۶ بهمن ۱۴۰۱ برابر با ۲۶ ژانویه ۲۰۲۳ ۲۱:۴۵. تولید تراشههای نیمههادی بدون کمک آمریکا ...
به خواندن ادامه دهیدنیمه هادی نوع n وp. تنها الکترون های ظرفیتی هستند که در واکنش های شیمیایی شرکت می کنند. هنگامی که اتم، یک الکترون در واکنش شیمیایی دریافت کند تبدیل به یون مثبت و اگر یک الکترون از دست بدهد تبدیل ...
به خواندن ادامه دهیدترانزیستورهای اثر میدان، خود به دو دستهٔ ترانزیستور پیوند اثر میدانی (JFET) و ترانزیستور اثر میدان نیمههادیِ اکسید-فلز (Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, MOSFET) که به اختصار به آن ماسفت گفته میشود ...
به خواندن ادامه دهیدنوع دیگر ترانزیستورهای اثر میدانی MOSFET ها هستند ( ترانزیستور اثر میدانی اکسید فلزی نیمه هادی - Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ) یکی از اساسی ترین مزیت های ماسفت ها نویز کمتر آنها در مدار است.
به خواندن ادامه دهیدبخشی از مقاله. ترانزیستور. ترانزیستورهای جدید به دو دسته کلی تقسیم می شوند: ترانزیستورهای اتصال دوقطبی (BJTs) و ترانزیستورهای اثر میدانی (FETs). اعمال جریان در BJTها و ولتاژ در FETها بیین ورودی ...
به خواندن ادامه دهیدهمچنین برای پایه کار از ترانزیستورها استفاده میکند که شامل ترانزیستورهای اتصال دو قطبی (bjt) و ترانزیستورهای اثر میدانی نیمه هادی اکسید فلز (mosfet) است.
به خواندن ادامه دهیدنوع دیگری از ترانزیستور به نام ترانزیستور اثر میدان ، با این اصل کار میکند که با وجود یک میدان الکتریکی رسانایی نیمههادی میتواند کم یا زیاد شود. یک میدان الکتریکی میتواند تعداد الکترون ...
به خواندن ادامه دهیدترانزیستور پیوندی اثر میدان یا جِیفِت به گونهای از ترانزیستورهای اثر میدان گفته میشود که از یک کانال عبور و یک گیت تشکیل شدهاند. دو پایهٔ درین و سورس با اتصال اهمی به دو طرف کانال متصل هستند و پایهٔ گیت اتصال ...
به خواندن ادامه دهیدنمودار I-V خصوصیات و طرحهای خروجی از JFETنوع n. ترانزیستور پیوندی اثر میدان یا جِیفِت (به انگلیسی: junction gate field-effect transistor یا JUGFET یا JFET) به گونهای از ترانزیستورهای اثر میدان گفته میشود که از یک ...
به خواندن ادامه دهیدچکیده آشکارسازهای نوری بخش مهم سیستمهای ارتباط نوری محسوب می شوند.آشکارسازها اساساً ابزار نیمه هادی هستند که انرژی نوری را جذب می کنند و آن را به انرژی الکتریکی تبدیل می کنند که معمولاً با عنوان جریان نوری بیان می گردد ...
به خواندن ادامه دهیدترانزیستور[۱] (به انگلیسی: transistor) مهمترین قطعهٔ مداری در الکترونیک است و برای تقویت یا قطع و وصل سیگنالها به کار میرود. ترانزیستور یکی از ادوات حالت جامد است که از مواد نیمهرسانایی مانند سیلیسیم و ژرمانیم ساخته می ...
به خواندن ادامه دهیدکریستال سیلیکون متداولترین نیمرسانای مورد استفاده در میکروالکترونیک فتوولتاییک. نیمرسانا [۱] یا نیمهرسانا یا نیمههادی (به انگلیسی : Semiconductor) عنصری است که رسانایی الکتریکی آن، چیزی ...
به خواندن ادامه دهیدترانزیستور مهمترین قطعهٔ مداری در الکترونیک است و برای تقویت یا قطع وصل سیگنال ها به عنوان سوئیچ به کار میرود. ترانزیستور یکی از ادوات حالت جامد است که از مواد نیمهرسانایی مانند سیلیسیم و ژرمانیم ساخته میشود ...
به خواندن ادامه دهیدانواع ترانزیستور : ترانزیستور به عنوان یک قطعه نیمه هادی تعریف می شود که اساساً با سه پایانه برای تقویت یا سوئیچینگ سیگنال های الکترونیکی و اهداف برق ساخته شده است. به عنوان تقویت کننده، آن ها ...
به خواندن ادامه دهیددر جلسهی پرسشوپاسخی که پس از سخنرانی برگزار شد، میبری ادعا کرد تولید انبوه ترانزیستورهای نانوسیم (Nanowire) را تا پنج سال آینده ممکن میدادند. پیشبینی او بهنوعی هدفی ملموس برای اینتل و ...
به خواندن ادامه دهیدبا استفاده از mosfet (ترانزیستورهای اثر میدانی اکسید فلز - نیمه هادی) ، پایه ای برای بیشتر دروازه های منطقی مدرن. خانواده منطق MOS شامل منطق PMOS ، منطق NMOS ، MOS مکمل (CMOS) و BiCMOS (CMOS دو قطبی) است.
به خواندن ادامه دهیدترانزیستورهای اثر میدانی نیمه هادی فلز اکسید ، که به آن حافظه نیمه هادی mos نیز می گویند ، در سال 1959 اختراع شد. این امکان استفاده از ترانزیستورهای mos را به عنوان عناصر ذخیره سلول حافظه فراهم می ...
به خواندن ادامه دهیداستفاده از رادیوگرافی پروجکشنال ، با یک ژنراتور اشعه ایکس و یک آشکارساز تصویربرداری.. آشکارسازهای اشعه ایکس دستگاههایی هستند که برای اندازه گیری شار، توزیع فضایی، طیف و/یا سایر خواص اشعه ایکس استفاده میشوند.
به خواندن ادامه دهیدبررسی و مدل سازی ترانزیستور نیمه هادی گالیوم آرسناید. ترانزیستورهای اثر میدان، قطعات کنترل شونده با ولتاژ می باشند. ترانزیستورهای ماسفت، بسته به کانالی که ولتاژ اعمالی به گیت در زیر سطح لایه ...
به خواندن ادامه دهیدسید محمد رضوی علی اصغر اروجی. چکیده به خوبی می دانیم که کاهش طول گیت، یک وسیله ی قوی جهت افزایش هدایت انتقالی و فرکانس عبور ترانزیستور های اثر میدانی فلز نیمه هادی (mesfet) می باشد. البته با کاهش ...
به خواندن ادامه دهیدمواد نیمه هادی را میتوان بطور موقت به فوق هادیها مبدل کرد. چه کسی آن را کشف کرد؟. جان باردین نخستین جایزهٔ نوبل خود را برای کشف خاصیت انتقالی (ترانزیستوری) نیمه هادیها گرفت. بیشتر مواد، یا ...
به خواندن ادامه دهید