- +8618437960706
- دوشنبه تا شنبه: 10:00 - 16:00 / یکشنبه تعطیل است
لیست مواد نیمه هادی ها. انواع بسیار مختلف زیادی از مواد نیمه هادی وجود دارد که می توانند در وسایل الکترونیکی استفاده شوند. هر یک مزایا، معایب و نواحی خودش را دارد که می تواند برای ارائه بهترین ...
به خواندن ادامه دهید
به آن "بول" گفته می شود. رشد Czochralski مقرون به صرفه ترین روش برای تولید بول های کریستال سیلیکون مناسب برای تولید ویفر سیلیکون برای ساخت دستگاه های نیمه هادی عمومی است (معروف به ویفرهای CZ). این روش ...
به خواندن ادامه دهید
3300V 1Ω SiC MOSFET v/s Competitors GeneSiC G3R1000MT33J (3300V 5A) Competitor 1 Competitor 2 Competitor 3 Device Type SiC MOSFET (Planar) Si Power MOSFET Si Power MOSFET IGBT V (BR)DSS 3300V 3000V 2500V 2500V Package TO-263-7 (with Kelvin source) TO-247-3 (HV) TO-264-3 TO-268-2 / TO-247-3 T j (Max) 175 °C 150 °C …
به خواندن ادامه دهید
به دلیل ساختار مواد نیمه‌هادی، الکترون‌ها مجبور به ایجاد موجی از جریان الکتریکی در یک جهت می‌شوند. سلول‌های خورشیدی در نمودار انرژی سلول خورشیدی سیلیکونی کریستالی معمولی، دارای راندمان ...
به خواندن ادامه دهید
سرفصل‌های دوره آموزش رایگان الکترونیک دیجیتال. فصل اول: مقدمات و مفاهیم اولیه. 01:04 ساعت (01:04 ساعت محتوا) 1 جلسه. جلسه 1: مقدمات و مفاهیم اولیه. "64:02. فصل دوم: مواد نیمه هادی و دیودها. 03:05 ساعت (03:05 ...
به خواندن ادامه دهید
در نیمه هادی نوع p به حفره ها حامل شارژ اکثریت، و به الکترون‌های آزاد حامل شارژ اقلیت گفته می‌شود. حال بررسی میکنیم که هنگام عبور جریان از نیمه هادی نوع n و نوع p چه اتفاقی رخ می دهد.
به خواندن ادامه دهید
در این مقاله ما بررسی میکنیم که ترانزیستور ها چه هستند و چگونه کار میکنند. ترانزیستور چیست؟ ترانزیستور نوعی دستگاه نیمه هادی است که برای هدایت و عایق بندی جریان الکتریکی و ولتاژ استفاده می ...
به خواندن ادامه دهید
G3R450MT17J – 1700V 450mΩ TO-263-7 SiC MOSFET. GeneSiC's new 3300V and 1700V SiC MOSFETs, available in 1000mΩ and 450mΩ options as SMD and …
به خواندن ادامه دهید
3300V : Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd. Hitachi Power Semiconductor Device, Ltd. Skip to main content. Language. English Japanese Chinese. Contact Us ... Hybrid-SiC: MBN1200F33F-C3 (2022/08/05) 1200: IHM Package (Standard isolation) M : MBN1200F33F-C.zip (2017/10/01) MBN1800F33F-C3 (2021/09/29) 1800: IHM Package
به خواندن ادامه دهید
دیود قطعه‌ای است که اجازه می‌دهد جریان تنها در یک جهت جریان یابد و معمولاً با مواد نیمه‌هادی ساخته می‌شود. این قطعه دارای دو ترمینال به نام‌های آند و کاتد است.
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور ماسفت یا MOSFET (مخفف عبارت Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor، به معنای ترانزیستور اثر میدانیِ نیمه رسانای اکسید فلز) دستگاهی نیمه هادی است که به صورت گسترده برای اهداف سوئیچینگ و تقویت سیگنال های الکترونیکی در برد ...
به خواندن ادامه دهید
مواد نیمه هادی که معمولاً برای ساخت ترانزیستور استفاده می شود عبارتند از سیلیکون، ژرمانیوم و گالیم-آرسنید. اساساً ترانزیستورها بسته به ساختارشان طبقه بندی می شوند.
به خواندن ادامه دهید
GeneSiC Semiconductor 3300V SiC MOSFETs offer fast and efficient switching with reduced ringing in an optimized package with a separate driver source pin. …
به خواندن ادامه دهید
آشنایی با موضوع. نیم‌رسانا یا نیمه‌هادی (به انگلیسی: Semiconductor) عنصر یا ماده‌ای است که در حالت عادی عایق باشد، ولی با افزودن مقداری ناخالصی قابلیّت هدایت الکتریکی پیدا کند (منظور از ناخالصی ...
به خواندن ادامه دهید
منظور از فتوکاتالیست چیست؟. واژۀ فتوکاتالیست (Photocatalyst) به کاتالیزورهایی اطلاق می شود که در حضور نور فعال می شوند. بخش عمدۀ این مواد اکسیدهای جامد نیمه هادی هستند که با جذب فوتون های نور، یک ...
به خواندن ادامه دهید
سیلیکون پلی‌کریستالی (برای تولید مونوکریستالهای سیلیکون با فرایند چکرالسکی استفاده می‌شود ) پرونده:Leo Tie Rodsedit.jpg میله‌ای از پلی سیلیکون نیمه هادی. در سطح اجزاء، پلی‌سیلیکون مدت‌هاست که به ...
به خواندن ادامه دهید
نشت (الکترونیک) نمودار جریانِ نشت بر زمان. در الکترونیک ، نشت به معنای تخلیه تدریجی انرژی و شارژ یک خازن است؛ که این باعث می‌شود که قطعات الکترونیکی مانند ترانزیستور و دیودها که به خازن متصل ...
به خواندن ادامه دهید
در نهایت اتحادیه بین‌المللی شیمی محض و شیمی کاربردی (IUPAC) فوتوکاتالیز را به صورت زیر تعریف کرد:تغییر سرعت یا نقطه آغاز یک واکنش شیمیایی تحت تابش نور (فرابنفش، مرئی، فروسرخ)، در حضور ماده ای که ...
به خواندن ادامه دهید
مواد بر اساس ساختار و خواص متفاوتی که شامل آن هستند به پنج گروه اصلی زیر تقسیم بندی می شوند: فلزات. سرامیک ها. پلیمرها. کامپوزیت ها. نیمه هادی ها. اما موادی نیز در این پنج گروه وجود دارند که ...
به خواندن ادامه دهید
Due to their high power density and high temperature capabilities, Silicon Carbide MOSFETs are promising power semiconductor switches to improve efficiency …
به خواندن ادامه دهید
نیم‌رسانای دو بعدی. نیمه رساناهای دوبعدی ، دسته ای از نیم‌رسانا‌های طبیعی هستند که ضخامت آنها در مقیاس اتمی می‌باشد. اولین عضو این خانواده که در سال ۲۰۰۴ میلادی توسط آندره گایم و کنستانتین ...
به خواندن ادامه دهید
This paper investigates the short-circuit (SC) capability of the 3.3-kV 5-A silicon carbide (SiC) metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFET) fro …
به خواندن ادامه دهید
3300V 1Ω SiC MOSFET based Fly-back converter High blocking voltage (≥ 3300 V) for fail-safe designs Higher avalanche ruggedness for simpler, rugged designs Low devices …
به خواندن ادامه دهید
دیاگرام بالا ساختار و شبکه ناخالصی اهدا کننده اتم انتیمون را نشان می‌دهد. اساس نیمه رسانا نوع p. اگر به سمت دیگر برویم و ناخالصی های "سه ظرفیتی" (3-الکترون) را در ساختار کریستالی معرفی کنیم مانند آلومینیوم، بورون یا ...
به خواندن ادامه دهید
We have demonstrated 1200V and 3300V planar 4H-SiC MOSFET technology at our 6-inch foundry. 1200V MOSFETs demonstrate good avalanche ruggedness under single-and …
به خواندن ادامه دهید
آموزش‌ها. /. آموزش مواد نیمه رسانا – نیمه هادی های ساده و مرکب (رایگان) مشخصات آموزش نظرات. امروزه علم الکترونیک را می‌توان در ترانزیستورها و پیوندهای PN خلاصه کرد. دلیل اهمیت این قطعات ...
به خواندن ادامه دهید
نیمه هادی‌ها عناصری هستند که بین هادی و عایق قرار دارند. به این معنی که در لایه آخر آنها دقیقا 4 الکترون ظرفیتی وجود دارد و یا با دریافت الکترون تکمیل شده و عایق شوند و یا با از دست دادن الکترون ...
به خواندن ادامه دهید
module is shown in Fig. 3. Six SiC MOSFET chips and six SiC schottky-barrier diode (SBD) chips are mounted on a single substrate so that two substrates constitute one arm and …
به خواندن ادامه دهید
علاوه براین نانو ذرات آلومینا در مواد نیمه هادی، پالایش نفت خام و فرایندهای پتروشیمی، کنترل تولید گازهای گلخانه ای، صنعت سرامیک، صنعت پلاستیک و لنزهای اپتیکی مورد استفاده قرار می‌گیرند.
به خواندن ادامه دهید
آشکارساز پرتو ایکس. از ویکی‌پدیا، دانشنامهٔ آزاد. استفاده از رادیوگرافی پروجکشنال ، با یک ژنراتور اشعه ایکس و یک آشکارساز تصویربرداری. آشکارسازهای اشعه ایکس دستگاه‌هایی هستند که برای ...
به خواندن ادامه دهید
3300v sic mosfets GeneSiC Semiconductor 3300V SiC MOSFETs offer fast and efficient switching with reduced ringing in an optimized package with a separate driver source pin. The 3300V SiC MOSFETs are designed to be compatible with commercial gate drivers and provide ease of paralleling without a thermal runaway.
به خواندن ادامه دهید
کریستال سیلیکون متداول‌ترین نیم‌رسانای مورد استفاده در میکروالکترونیک و فتوولتاییک است. نیم‌رسانا [۱] یا نیمه‌رسانا یا نیمه‌هادی (به انگلیسی: Semiconductor) عنصری است که رسانایی الکتریکی آن ...
به خواندن ادامه دهید
GeneSiC 1200V Gen3 and 3300V Gen2 SiC MOSFETs. Discover the cost and technology choices of the first commercially available discrete 3300V SiC MOSFET from GeneSiC. …
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور اثر میدان یا ترانزیستور jfet یک قطعه نیمه‌هادی تک‌قطبی است که مشخصات آن بسیار شبیه به ترانزیستور دوقطبی مشابه است. ... تطبیق امپدانس مورد استفاده قرار گیرد که به یک امپدانس ورودی ...
به خواندن ادامه دهید
This paper investigates the short-circuit (SC) capability of the 3.3-kV 5-A silicon carbide (SiC) metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFET) from GeneSiC (Generation-1, engineering sample). The SC withstand time (SCWT) of the tested 3.3-kV device could not reach the benchmark of 10-μs at a 2.2-kV bus voltage and 18-V …
به خواندن ادامه دهید