- +8618437960706
- دوشنبه تا شنبه: 10:00 - 16:00 / یکشنبه تعطیل است
افزاره مبتنی بر SOI با افزاره‌های معمولی ساخته شده از سیلیکون که در آن اتصال سیلیکون بر روی عایق الکتریکی است، متفاوت است؛ عمدتاً دی‌اکسید سیلیکون یا یاقوت کبود (این نوع از افزاره‌ها سیلیکون ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور اثرِ میدانیِ نیمرسانا اکسید-فلز یا ماسفِت معروف‌ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای الکترونیک آنالوگ و دیجیتال است. اصطلاح «اکسید-فلز» را نباید به اشتباه «اکسیدِ فلز» خواند.
به خواندن ادامه دهید
الکترونیک. تقویت کننده ماسفت (MOSFET) «ترانزیستور اثر میدان نیمه‌رسانای اکسید فلز» (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) یا ماسفت، یک گزینه عالی برای تقویت‌کننده‌های خطی سیگنال کوچک.
به خواندن ادامه دهید
در سال ۱۹۵۹، Dawon Kahng و مارتین M.Atalla در آزمایشگاه‌های بل، فلز اکسید نیمه هادی ترانزیستور اثر میدانی (MOSFET) به عنوان شاخه‌ای به طراحی FET اختراع شد. فهرست مطالب: مقدمه. ساختار ترانزیستور ماسفت
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور اثر میدان با نیمه هادی اکسید فلزی. bjt. ترانزیستور پیوندی دوقطبی. ساختار سخت افزاری: ۳ ترمینال، گِیت، سورس، درِین پیچیده تر. ۳ ترمینال، امیتر، بیس و کالکتور: فرآیند کارکرد
به خواندن ادامه دهید
در این حالت که ترانزیستور کاملاً خاموش است هر دو پیوند ترانزیستور بایاس معکوس شده‌اند. v b <0.7 و i c =0 برای یک ترانزیستور pnp اختلاف پتانسیل امیتر باید نسبت به بیس منفی باشد . (۲) ناحیه اشباع
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور پیوند- نفوذی رونشستی نوعی ترانزیستور پیوندی که از رشد لایه نازک نیمرسانا با خلوص بالا بر روی نیمرسانایی از همان نوع ولی با ناخالصی شدید به دست می آید : epitaxial diffused-junction transistor
به خواندن ادامه دهید
شکل و مواد به‌کاررفته در ساختار ترانزیستورها با گذر زمان تغییر کرده است؛ اما ترانزیستورهای اثر میدانی نیمه‌رسانای اکسید فلز (MOSFET) که در ریزپردازنده‌ها استفاده می‌شوند، از زمان اختراع در ...
به خواندن ادامه دهید
البته در مطلب «ترانزیستور jfet یا پیوندی اثر میدان — به زبان ساده (+ دانلود فیلم آموزش رایگان)» در این لینک به تفصیل درباره این نوع از ترانزیستورها بحث کرده‌ایم.
به خواندن ادامه دهید
در این آموزش تقویت کننده ماسفت را بررسی می‌کنیم. ترانزیستور اثر میدان نیمه هادی اکسید فلز یا به اختصار ماسفت (MOSFET)، یک انتخاب عالی برای تقویت کننده‌های خطی سیگنال کوچک است، زیرا امپدانس ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور اثر میدان نیمرسانا ی اکسید - فلزی ، ترانزیستور اثر میدان باکیت عایق شده ترانزیستور اثر میدان ولتاژ - رانشی با یک گیت فلزی عایق شده - اکسید یا جند بلوری عملکرد ترانزیستور تک قطبی بر اساس حرکت یک حامل اکثریت ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور اثر میدان نیمرسانا ی اکسید - فلزی ، ترانزیستور اثر میدان باکیت عایق شده ترانزیستور اثر میدان ولتاژ - رانشی با یک گیت فلزی عایق شده - اکسید یا جند بلوری عملکرد ترانزیستور تک قطبی بر اساس حرکت یک حامل اکثریت ...
به خواندن ادامه دهید
اولین حق ثبت اختراع ترانزیستور اثر میدان در سال ۱۹۲۸ در آلمان توسط فیزیک‌دانی به نام یولیوس ادگار لیلینفلد ثبت شد، اما او هیچ مقاله‌ای دربارهٔ قطعه‌اش چاپ نکرد و این ثبت اختراع از طرف صنعت ...
به خواندن ادامه دهید
igfet که با نام mosfet یا ترانزیستور اثر میدانی نیمه رسانای اکسید-فلز یا به اختصار ترانزیستور ماسفت نیز شناخته می شود، نوع دیگری از ترانزیستور اثر میدانی (fet) است که ورودی یا گیت آنها از نظر الکتریکی نسبت به کانالی که جریان را ...
به خواندن ادامه دهید
یک ترانزیستور اثر میدانی فلز اکسید نیمه هادی است که برای تقویت یا سوئیچینگ سیگنال‌های الکترونیکی استفاده میشود. ... از آنجایی که می‌توان آنها را با نیمه‌هادی‌های نوع p یا n ساخت، از جفت ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور[۱] مهم‌ترین قطعهٔ مداری در الکترونیک است و برای تقویت یا قطع‌ووصل سیگنال به کار می‌رود. ترانزیستور یکی از ادوات حالت جامد است که از مواد نیمه‌رسانایی مانند سیلیسیم و ژرمانیم ساخته میشود.
به خواندن ادامه دهید
۳- ترانزیستور اثر میدانی (fet) ۴- ترانزیستور اثر میدانی (mosfet) ۱- ترانزیستور دوقطبی پیوندی (bjt) در ترانزیستور دو قطبی پیوندی با اعمال یک جریان به پایه b جریان عبوری از دو پایه c و e کنترل میشود.
به خواندن ادامه دهید
ساختار ترانزیستور اثر میدان اکسید فلز تفاوت زیادی با jfet دارد. ترانزیستورهای نوع تخلیه و افزایشی mosfet از یک میدان الکتریکی که توسط ولتاژ گیت ایجاد شده برای تغییر جریان حامل های الکتریکی در طول کانال درین ــ سورس ( الکترون ...
به خواندن ادامه دهید
نمیرسانای اکسید - فلزی ساختار فلز - عایق - نیمرسانا در لایه عایق اکسیدی بر روی ماده ی زیر ساخت در زیر ساخت سلیسیمی لایه عایق ساز دی اکسید سیلیسیم است ترانزیستورهای اثر میدان ، خازنها ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور ماسفت (mosfet)، یا به عبارت دیگر ترانزیستور اثر میدان نیمه هادی اکسید فلز، یک دستگاه نیمه هادی است که به طور گسترده برای اهداف سوئیچینگ و برای تقویت سیگنال های الکترونیکی در دستگاه ...
به خواندن ادامه دهید
یکسوساز محفظه -فلز قوس - جیواه ای یکسوساز قوس - جیوه ای که کاتد جیواه ای و آند آن در یک محفظه یا اتاقک فلزی قرار دارند : metal - tank mercury - arc rectifier
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور سیلیسیم - نفوذی اپیتکسیال مزا ترانزیستور سیلیسیم ، دارای مقادیر مجاز ولتاژ و توان بالا همراه با زمان ذخیره و ولتاژ اشباع کم : selicon - diffused epitaxial mesa transistor
به خواندن ادامه دهید
قطعا تغییراتی جزئی در ساختار ترانریستورهای نسل بعدی ایجاد خواهد شد؛ اما روش اصلی ساخت همان نانوصفحات خواهند بود. شکل و مواد به‌کاررفته در ساختار ترانزیستورها با گذر زمان تغییر کرده است ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور اثر میدان (Field Effect Transistor) یا FET، از یک ولتاژ برای اعمال به ترمینال ورودی که گیت (Gate) نامیده میشود، استفاده می‌کند و جریان گذرنده از آن متناسب با این ولتاژ است. از آنجایی که ...
به خواندن ادامه دهید
Mosfet چیست؟. ۲۶ مهر ۱۳۹۷ مقالات پاورز. ماسفت یا ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانا-اکسید-فلزمی باشد. Mosfet مخف (metal–oxide–semiconductor field-effect transistor) ترانزیستور معروف‌ترین اثر میدان در مدارهای آنالوگ و ...
به خواندن ادامه دهید
طراحی آشکار ساز نور uv با استفاده از تزریق نانوذرات سیلیکون درلایه اکسیدsio2، با استفاده از ساختار فلز- اکسید - نیمه هادی. در این پایان نامه ، ساختار یک آشکارساز نور فرابنفش با استفاده از تزریق ...
به خواندن ادامه دهید
چکیده مقاله: در این مقاله به شبیه سازی و بهینه سازی ترانزیستور اثر میدانی فلز اکسید نیمه رسانا پرداخته می.شود در ابتدا مراحل شبیه سازی در سیلواکو بیان میشود. سپس منحنی VGS - ID) این افزاره را ...
به خواندن ادامه دهید
دروازه های الکترونیکی. یک سیستم منطقی کامل عملکردی ممکن است از رله ها ، سوپاپ ها یا ترانزیستورها تشکیل شده باشد. ساده ترین خانواده گیت های منطقی از ترانزیستور پیوندی دوقطبی (RTL )استفاده شده ...
به خواندن ادامه دهید
نیمرسانای فلز - عایق ساختار نیمرسانایی که در آن یک لایه عایق ، معمولاً با ضخامت کسری از میکرومتر ، پیش از ایجاد اتصالهای فلزی بر روی زیر ساخت نیمرسانا نشانده می شود این لایه می تواند ناحیه اثر میدانی در سطح ماده نیمرسانا ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور اثر میدانی با گیت ایزوله شده نیمه رسانای اکسید فلز در واقع یک ترانزیستور اثرمیدانی کنترل شده با ولتاژ است که همین حالت قابلیت های زیادی را برای طراحی مدارت مختلف در اختیار ما قرار ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور اثر میدان : field effect transistor. دیکشنری تخصصی البرز مجموعه ای کامل از لغات و اصطلاحات تخصصی همه رشته ها
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور دارای سه لایه‌است که ساختار آن شامل یکی از حالت های زیراست: 1) یک لایه نیمه هادی نوعn بین دو لایه نوعp در پیکربندی مثبت – منفی – مثبت (PNP)،. 2) یک لایه نوعp بین دو لایه نوعn در ...
به خواندن ادامه دهید
پایگاه خبری فناوری نانو ایران: اخیراً محققان موسسه میکروالکترونیک cas در آکادمی علوم چین (ime)، با استفاده از نانومیله‌های اکسید روی، ترانزیستور اثر زمینه‌ای تولید نموده‌اند که اولین نوع از ...
به خواندن ادامه دهید
ترانزیستور اثر میدان نیمه هادی اکسید فلز (mosfet) متداول ترین و محبوب ترین نوع در بین تمام ترانزیستورها است. نام «اکسید فلز» نشان می دهد که ناحیه گیت و کانال توسط یک لایه نازک از اکسید فلز که ...
به خواندن ادامه دهید
مقدمه: ماسفت یا ترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانا-اکسید-فلز (metal–oxide–semiconductor field-effect transistor (MOSFE معروف‌ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای آنالوگ و دیجیتال است. این گونه از ترانزیستور اثر ...
به خواندن ادامه دهید
فلز بی اثر فلزی همانند طلا ، نقره ، پلاتین که مقاومت بیشتری در برابر خوردگی و اکسید شدن دارد از آن برای ساخت مدارهای پوسه - نازک ، مقاومتهای پوسه - فلزی و قطعات پوسه - فلزی دیگر استفاده می شود
به خواندن ادامه دهید